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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0589733 (2005-02-15) |
등록번호 | US7883998 (2011-01-26) |
우선권정보 | JP-2004-004-039177(2004-02-17) |
국제출원번호 | PCT/JP2005/002222 (2005-02-15) |
§371/§102 date | 20070322 (20070322) |
국제공개번호 | WO05/078780 (2005-08-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 15 |
It is to provide a vapor phase growth method in which an epitaxial layer consisting of a compound semiconductor such as InAlAs, can be grown, with superior reproducibility, on a semiconductor substrate such as Fe-doped InP. In vapor phase growth method for growing an epitaxial layer on a semiconduct
The invention claimed is: 1. A reproducible vapor phase growth method for growing an epitaxial layer on semiconductor substrates of a single crystal, comprising:measuring a resistivity of arbitrary semiconductor substrates at a room temperature;obtaining respectively a relationship between a heating
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