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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0507418 (2014-10-06) |
등록번호 | US-9318546 (2016-04-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 4 |
In some embodiments, a metal oxide second electrode material is formed as part of a MIM DRAM capacitor stack. The second electrode material is doped with one or more dopants. The dopants may influence the crystallinity, resistivity, and/or work function of the second electrode material. The dopants
1. A capacitor stack comprising: a first electrode layer formed above a substrate;a dielectric material formed above the first electrode layer; anda second electrode structure formed above the dielectric material; wherein the second electrode structure comprises a first material layer and a second m
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