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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0003270 (2016-01-21) |
등록번호 | US-9728422 (2017-08-08) |
우선권정보 | JP-2015-011725 (2015-01-23); JP-2015-226219 (2015-11-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 2 |
Disclosed is a dry etching method for a laminated film in which at least one silicon layer and at least one silicon oxide layer are laminated together. The dry etching method includes generating a plasma gas from a dry etching agent and etching the laminated film with the plasma gas under the applic
1. A dry etching method for a laminated film, the laminated film comprising at least one silicon layer and at least one silicon oxide layer laminated together, the dry etching method comprising: applying a mask with an opening to the laminated film;generating a plasma gas from a dry etching agent;br
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