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NTIS 바로가기등록일자 | 2007-04-09 |
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출처 | RESEAT |
URL | https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=2e687394b2aa46ae95b68a782f0541dd&fileSn=1&bbsId= |
○ 실리콘 베이스 MOFET는 메모리와 마이크로 프로세TM를 만드는데 아주 중요한 디바이스다. 이들은 다른 반도체와 마찬가지로 자꾸만 작게 만들어 생산비를 감소시키려는 것이 현재의 추세이다. 이제 이 부품 한 개의 크기는 수평으로 10nm, 노드길이는 22nm 이하로 작아질 것을 강요받고 있다. 그러나 현재 사용되고 있는 SiO₂산화물로는 전자의 터널링에 의한 누설전류로 불가능하게 될 것이며 이로 인하여 이 반도체의 기술한계는 게이트 산화물의 두께에 의해서 그 한계가 나타날 것으로 예측하고 있다.
○ 반면 경화
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