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NTIS 바로가기등록일자 | 2007-04-04 |
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출처 | KOSEN-코센리포트 |
URL | https://kosen.kr/info/kosen/512961 |
문서암호 : www.kosen21.org
1. 분석자 서문
이온주입은(Ion implantation) 실리콘 직접회로 공정에서 지난 25년 동안 주된 불순물 주입공정으로 자리매김해 왔으며, 반도체 공정에서 리소그라피와 함께 고가의 장비와 중요한 공정으로 높은 위치를 점하고 있다. 또한 이온빔 기술은 실리콘 기반의 반도체 공정 및 마이크로/나노 기술에서 중요한 기술로 인식되고 있으므로 이온의 축출 및 가속 기술은 이온빔 및 더 나아가 전자빔을 사용하기 위해서도 기본적으로 이해해야 할 기술이다.
개발 초기의 핵
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