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NTIS 바로가기등록일자 | 2011-07-26 |
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출처 | KOSEN-코센리포트 |
URL | https://kosen.kr/info/kosen/759694 |
문서암호 : www.kosen21.org
1. 분석자 서문
최근 급격히 발달하고 있는 모바일 장치들은 배터리에 의해 동작하므로 초저전력 시스템을 요구한다. 또한 착용가능한 전자장치, 휴대용 생체신호 모니터링 장치 등의 어플리케이션들도 초저전압에서 동작하고 있다. 이러한 장치들은 많은 양의 정보를 일시적으로 장치 내에 저장하여야 하므로 대용량 SRAM을 포함하고 있다. 메모리는 로직회로에 비해서 전력 소모가 많고 요구되는 동작전압이 높다는 점에서, 로직과 동일한 공급전압을 사용하는 저전력 SRAM 설계는 저전력 시스템
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