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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
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연구책임자 | 천성순 |
참여연구자 | 박흥락 , 강창진 , 박영욱 , 윤수식 , 박종욱 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1989-05 |
주관부처 | 과학기술부 |
과제관리전문기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
등록번호 | TRKO200200000872 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 텅스텐.저압화학증착법.제한두께.실기콘환원.수소환원.SIH4 환원.TUNGSTEN.LPCVD.LIMITING THICKNESS.SI REDUCTION.H2 REDUCTION.SIH4 REDUCTION. |
본 연구는 차세대 반도체제조에 적용될 W-LPCVD에 관한 기초연구로서 W-LPCVD의 장점인 선택증착특성 조사 및 향상과 W-LPCVD의 화학증착반응기구의 규명을 그 목표로 하여 1차년도의 연구는 R&D용 W-LPCVD 장치설계 및 제작, WF6-AR. WF6-H2, WF6-H2-SIH4 등의 화학반응계에 대한 열역학적 고찰, 각 화학반응계에 대한 예비실험을 수행하였다. 열역학적인 고찰을 한 결과 각 화학반응계에 대한 이론적 최적증착조건을 얻을 수 있었으며, 예비실험을 수행한 결과 SI 환원반응에 W 박막의 화학증착은 제한두께 현
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