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중성자 변환법에 의한 실리콘 도핑 기술 개발
Development of Silicon Technique by Neutron Transmutation 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국원자력연구소
Korea Atomic Energy Research Institute
연구책임자 김헌준
참여연구자 김용채 , 김정도 , 정병칠 , 이창희 , 성백석 , 이정수 , 심해섭 , 최병훈 , 호종화
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월1990-06
주관부처 과학기술부
사업 관리 기관 한국원자력연구소
Korea Atomic Energy Research Institute
등록번호 TRKO200200003846
DB 구축일자 2013-04-18
키워드 중성자 도핑.균일 도핑.FZ-실리콘 결정.NTD-실리콘 결정.대전력소자.Neutron Doping.Uniform Doping.NTD-Silicon Crystal.FZ-Silicom Crystal.High Power Device.

초록 ▼

현재 건조중인 다목적연구로 (KMRR)에서 대전력소자 제조용 대구경(15㎝최고) FZ-Si결정을 중성자변환법으로 균일 도핑 (분포정향율변동:경방향 ±3%, 축방향 ±5%:목표저항율 ±3%) 하기 위한 기술개발 제2차년도 연구를 수행하였다. 그 내용은 KMRR수직공 핵특성 평가, 적절한 균일조사방법 선택, 조사내관 설계, 조사장치 설계 및 중성자선질 평가법 등이다. 균일조사법으로는 정위치법과 정속이동법을 이용하고, 조사내관에 설치된 4개의 중성자검출신호로 해석한 중성자속 축분포에 따라 Pool 상부에 설치된 회전/승강구동 기계장치를

목차 Contents

  • 제1장 서론...24
  • 제2장 본론...26
  • 제3장 결론 및 건의사항...149
  • 참고문헌...155

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참고문헌 (25)

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