$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

[국가R&D연구보고서] 차세대 화합물 반도체 재료의 결정 성장 기술
Advanced Crystal Growth Technology of the Compound Semiconductor Materials 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국과학기술연구원
Korea Institute Of Science and Technology
연구책임자 민석기
참여연구자 김현수 , 김무성 , 김은규 , 김용태 , 박승철 , 한철원 , 박용주 , 김용 , 조훈영 , 엄경숙 , 김성일 , 김춘근 , 심광보 , 박찬용 , 이호섭
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월1990-07
주관부처 과학기술부
과제관리전문기관 한국과학기술연구원
Korea Institute Of Science and Technology
등록번호 TRKO200200004225
DB 구축일자 2013-04-18
키워드 갈륨비소.단결정 성장.이종접합.수직온도구매냉각.수소화.GaAs.Crystal Growth.VGF.HZM.GaAs-On-Si.MOCVD.

초록 ▼

VGF(Vertical Gradient Freeze)법을 이용한 GaAs 단결정 성장연구를 하였다. 기존의 직경 1인치 결정성장 장치의 미비점을 개선시키고 Si-Doped N형 및 In,Zn-Doped P형의 GaAs 단결정을 성장시켜 저결함 특성과 전기광학적 특성을 보았다. 또 직경 2인치 결정성장용 VGF장치를 새로 제작하여 시험성장 연구를 하였다. 한편 HZM(Horizontal Zone Melt) 성장장치를 제작하여 GaAs:In 단결정을 성장시켰으며 잉고트 전체의 약 80% 범위에서 매우 고른 전기적 특성을 보여 균질성 면

목차 Contents

  • 제1장 서론...25
  • 제1절 연구개발의 목적과 범위...25
  • 제2절 연구사업 수행의 배경...26
  • 제3절 보고서의 구성...29
  • 제2장 직경 1인치 VGF GaAs단결정 성장...31
  • 제1절 VGF결정 성장 장치의 개선...31
  • 제2절 GaAs:$Si$ 단결정 성장 및 특성평가...35
  • 제3절 GaAs:$In,Zn$ 단결정 성장 및 특성평가...49
  • 제3장 직경 2인치 VGF GaAs 단결정 성장장치...69
  • 제1절 성장장치부...69
  • 제2절 조절장치부...77
  • 제3절 결정성장연구...83
  • 제4장 HZM 법에 의한 GaAs 단결정 성장 및 특성평가...92
  • 제1절 서론...92
  • 제2절 HZM결정 성장장치...94
  • 제3절 GaAs:$In$단결정 성장과 특성평가...96
  • 제 4 절 결론...115
  • 제5장 크롬$(Cr)$이 첨가된 반절열성 GaAs내의 깊은 준위 연구...117
  • 제1절 서론...117
  • 제2절 시료준비 및 PICTS 측정방법...118
  • 제3절 GaAs:$Cr$내의 깊은 준위...121
  • 제6장 $GaAs-on-Si$ 이종접합 연구...132
  • 제1절 $GaAs-on-Si$ 기술...132
  • 제2절 $GaAs-on-Si$내의 깊은 준위 연구...134
  • 제3절 $Si$기판위에 성장된 GaAs 에피층의 PL특성...151
  • 제4절 $GaAs-on-Si$내의 결함상태들에 대한 수소화효과...160
  • 제5절 $GaAs-on-Si$의 laser annealing 효과...174
  • 제7장 종합적 결론 및 건의 사항...182
  • 제1절 종합적 결론...182
  • 제2절 건의 사항...187
  • 참고문헌...188
  • 부록...203

연구자의 다른 보고서 :

참고문헌 (25)

관련 콘텐츠

저작권 관리 안내
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로