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연합인증

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초 고집적 반도체 기술(차세대 기억 소자) 공동 개발
Joint Development of ULSI Semiconductor Technology(Next Generation Memory Device) 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국전자통신연구원
Electronics and Telecommunications Research Institute
연구책임자 이진효
참여연구자 김대용 , 강상원 , 김보우 , 송원철 , 최원일 , 이진효 , 주동혁 , 이희국 , 윤정세 , 박용의 , 최수한 , 이동길 , 박광오 , 황인석 , 천희곤 , 윤길근 , 정경헌 , 민병환 , 김재형 , 권봉수 , 안광덕 , 이해원 , 소명기 , 박승철 , 장진 , 이정용 , 이종덕 , 문상흡 , 주광열 , 한전건 , 한민구 , 주승기 , 장현구 , 김철주 , 조상복 , 노승용 , 김봉열 , 조화석 , 박세근 , 유기수 , 김환용 , 전병실 , 김선근 , 이천희 , 장충근 , 홍봉식 , 서동수 , 김길무 , 유영갑 , 임기조 , 이시우 , 박찬경 , 이귀로 , 김충기 , 백수현 , 이대우 , 이진호 , 김천수 , 김홍주 , 이규홍 , 전만영 , 김현태 , 유현규 , 유종선 , 조남인 , 안근영 , 강원구 , 강성원 , 정연배 , 이경수 , 조덕호 , 운선진 , 벽문철 , 조경익 , 남기수 , 백종태 , 이중환 , 윤용선 , 허성익 , 노태문 , 박영준 , 권오준 , 이원형 , 곽병화 , 이상환 , 김상기 , 차주연 , 이희태 , 전영진 , 박병선 , 최상수 , 이춘수 , 권광호 , 박민 , 이종열 , 김상호 , 김윤태 , 장원익 , 전치훈 , 이용일 , 배남진 , 조경익 , 박종문 , 변화성 , 조철호 , 김종연 , 김정미 , 조양순 , 안승환 , 도정기 , 정원화 , 박경아 , 김일기 , 김주한 , 이철희 , 안희태 , 박춘성 , 김태형 , 안영창 , 김영호 , 배효관 , 박휴찬 , 강유석 , 박종훈 , 허윤종 , 박완준 , 강명수 , 김정규
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월1990-04
주관부처 과학기술부
사업 관리 기관 한국전자통신연구원
Electronics and Telecommunications Research Institute
등록번호 TRKO200200004366
DB 구축일자 2013-04-18
키워드 설계.공정.소자.시험검사.신뢰성.포장.단위 공정.종합 공정.16메가 디렘.64메가 디렘.16M DRAM.64M DRAM.Device.Process Integration.Lithography.Etch.Isolation.Thin Dielectric Film.Interconnection.Trench.Package.Simulation.Capacitor.Layout.Test.

초록

차세대 반도체 기술인 0.5㎛ 급 16M DRAM 시제품 개발, 0.3-0.4㎛ 급 64M DRAM 시제품 개발과 관련 핵심 반도체 제조장비 및 재료 개발을 목표로 하여 ETRI가 중심이 되어 기술분야 별로 금성 등 7개 산업체, 2개 출연, 19개 대학이 공동으로 개발한 결과, 1차년도에는 제품 기술분야에서 16M DRAM 핵심 셀 및 주변회로의 설계기술 등을, 단위 공정 기술분야에서는 9 및 I-Line Stepper 및 다층 감광재료를 이용한 0.6㎛ 리소그라되 및 식각공정기술 개발을, 요소기술 분야에서는 64M DRAM Ce

목차 Contents

  • 제1장 서론...17
  • 제2장 제품기술 분야...20
  • 제3장 단위공정기술 분야...129
  • 제4장 요소기술 분야...160
  • 제5장 장비기술개발 분야...202
  • 제6장 재료개발기술 분야...272
  • 제7장 기초기술 연구 분야...336
  • 제8장 공동연구관리 분야...385
  • 제9장 결론...412

연구자의 다른 보고서 :

참고문헌 (25)

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