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소재공정기술 개발;ECR CVD 박막제조 공정 개발
A Study on Deposition of Thin Film by ECR Method 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국과학기술연구원
Korea Institute Of Science and Technology
연구책임자 박태진
참여연구자 임태훈 , 윤영현
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월1992-04
주관부처 과학기술부
사업 관리 기관 한국과학기술연구원
Korea Institute Of Science and Technology
등록번호 TRKO200200005527
DB 구축일자 2013-04-18
키워드 전자사이클론공조 화학증착.ECR CVD.Plasma.

초록 ▼

ECR CVD 장비를 국산화하기 위하여 장비 설계 및 제작을 수행하였다. 마이크로웨이브 및 전자석은 수입하였으나 진공라인과 CVD 반응기는 자체 설계·제작 완료하였다. 제작된 전체 ECR CVD 장비는 진공도, 실리콘 증착을 이용한 예비실험에서 저온공정의 개발 가능성을 충분히 보여 주었다. 기본 진공도는 10￣ⁿ=7)tou 이었으며 상온에서의 Si 증착속도는 약 70Å/min 이었다. rf bias를 기판에 가할 수 있는 것과 기판 위치를 플라즈마 내에서 자유로이 움직일 수 있는 장치의 장점을 이용하면 Dielectric 박막의 증

목차 Contents

  • 제1장 서론...15
  • 제2장 장치 설계 및 제작...17
  • 1. 설계의 기본 개념...17
  • 2. 진공장치 설계 및 제작...18
  • 3. 반응기 설계 및 제작...24
  • 4. ECR 발생부...30
  • 5. 기체 공급 시스템...41
  • 6. 배출가스 처리 시스템...42
  • 7. 시스템 조립 및 안전장치...47
  • 제3장 예비 실험 및 결과...55
  • 1. 진공도 검사...55
  • 2. 실리콘 증착 실험...56
  • 3. 실험 결과...61
  • 제4장 전산모사 및 결과...71
  • 1. 개요...71
  • 2. 공정변수의 영향...72
  • 3. 예비 실험 결과와의 비교...81
  • 제5장 결론 및 향후계획...83
  • 참고문헌...85
  • 부록 1. 제어판넬의 전기회로도...87
  • 부록 2. 저압화학증착 텅스텐박막의 층덮힘...99

연구자의 다른 보고서 :

참고문헌 (25)

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