초록 ▼

== * 연구개발 목표 및 내용. - 분석기술의 활용능력 배양 및 분해능 개선 연구 .Spectrum/Depth/Spatial 분해능 개선 연구. - 초박막 및 표면의 특성분석 기술연구. == == * 연구결과 - SIMS, AES, XPS, FT-IR/PL 의 측정저건 최적화에 따른 분해능 개선 및 반도체소재에의 활용능력 배양 + XPA 정밀 Spectrum 측정 및 해석법 비교, 서로다른 전자에너지의 AES 피크분리, 저온 FT-IR을 이용한 피크분리, SIMS의 측정조건 변화등을 통한 Spectrum분해능개선 + SIMS 를

== * 연구개발 목표 및 내용. - 분석기술의 활용능력 배양 및 분해능 개선 연구 .Spectrum/Depth/Spatial 분해능 개선 연구. - 초박막 및 표면의 특성분석 기술연구. == == * 연구결과 - SIMS, AES, XPS, FT-IR/PL 의 측정저건 최적화에 따른 분해능 개선 및 반도체소재에의 활용능력 배양 + XPA 정밀 Spectrum 측정 및 해석법 비교, 서로다른 전자에너지의 AES 피크분리, 저온 FT-IR을 이용한 피크분리, SIMS의 측정조건 변화등을 통한 Spectrum분해능개선 + SIMS 를 이용한 실리콘산화막 깊이 분포 분석시 최적조건, Angle Resolved XPS를 이용한 SrTiO/sub 3/ 박막의 깊이 분포분석, FT-IR을 이용한 실리콘산화막(20A/sup ˚/)의 두께 측정 연구를 통한 깊이분해능 개선 + AES 전자선주사 조건에 따른 스펙트럼 분리, SIMS에서 이차원 Image Mapping을 이용한 페턴내의 특수부위 관찰 등을 통한 Spatial분해능 개선. - Case study 를 통한 토박막 및 표면의 특성분석 기술연구 + 화합물 반도체 재료인 AlGaAs의 광특성 및 캐리어농도와의 관계 연구 + 3" AlGaAs/GaAs MBE 에피의 PL Mapping과 DCXRD Mapping을 통한 웨이퍼의 균일도 및 질평가 기술 연구 + 질화실리콘 박막에서 결합종류와 밀도가 Etch Rate에 미치는 영향 연구 + CHF/sib 3/ /C/sub 2/F/sub 6/플라즈마 처리 전·후의 시리콘 표면연구

목차 Contents

• 제 1 장 서론...23
• 제 2 장 Spectrum 분해능 개선연구...26
• 제 1 절 X-선 광전자 분광기에서의 표면 결합상태 분해능 개선...27
• 제 2 절 Auger 전자분광기에서의 spectrum 분해능 비교...34
• 제 3 절 저온 FT-IR을 이용한 실리콘산화막의 산소관련 피크분리...36
• 제 4 절 분석조건에 따른 검출한계 연구...41
• 제 3 장 Depth resolution 개선연구...43
• 제 1 절 SIMS 의 깊이분포 분석연구...45
• 제 2 절 이온선 식각시 시편회절에 의한 깊이분해능 개선...54
• 제 3 절 Angle resolved XPS 분석기술...57
• 제 4 절 FT-IR 을 이용한 산화규소막의 두께측정...62
• 제 4 장 Spatial resolution 개선연구...66
• 제 1 절 전자선에 의한 미세구조 분석...68
• 제 2 절 이차원 ion image mapping 연구...74
• 제 5 장 초박막 및 표면의 특성분석기술 연구...79
• 제 1 절 분자선에피텍셜(MBE) 방법으로 성장된 Si 도프 Al Ga As의 PL 연구...81
• 제 2 절 분자선에피텍셜(MBE) 방법으로 성장된 3 AlGaAs/GaAs 에피층의 PL mapping 및 쌍결정 엑스선 Mapping...93
• 제 3 절 PECVD 질화규소막 굴절률과 식각속도의 화학적결합밀도 의존성...93
• 제 4 절 반응성이온 건식식각...93
• 제 6 장 결론...94