초록 ▼

본 연구는 Plasma를 원료제조시 출발원료의 기화방법으로 사용하여 DC 플라즈마법에 의한 질화규소의 분말장치를 제작하고 이를 사용하여 질화규소제조의 기초실험을 수행하는데 그 목적이 있다.용량 80KW인 DC power supply를 사용하여 생성된 플라즈마 토치 Flame 에 원료가스를 접촉시키고 반응가스와의 기상반응법으로 질화규소를 제조하였다.플라즈마 발생용 가스는 토치의 수직방향에서 주입되며,플라즈마 점화되는 부위의 직하단부에 기화된 원료가 운송가스와 함께 주입된다.플라즈마 Flame의 하단부에 2개의 Slit를 장착하여 Re

본 연구는 Plasma를 원료제조시 출발원료의 기화방법으로 사용하여 DC 플라즈마법에 의한 질화규소의 분말장치를 제작하고 이를 사용하여 질화규소제조의 기초실험을 수행하는데 그 목적이 있다.용량 80KW인 DC power supply를 사용하여 생성된 플라즈마 토치 Flame 에 원료가스를 접촉시키고 반응가스와의 기상반응법으로 질화규소를 제조하였다.플라즈마 발생용 가스는 토치의 수직방향에서 주입되며,플라즈마 점화되는 부위의 직하단부에 기화된 원료가 운송가스와 함께 주입된다.플라즈마 Flame의 하단부에 2개의 Slit를 장착하여 Reactive Quenching 가스를 도입하였다.얻어진 분말은 무정형이었으며,반응부산물을 제거하고 1500℃에서 질소분위기하에서 하소함으로써 결정성 Si/sub 3/N/sub 4/분말을 얻었다. TEM 관찰을 통하여 1500℃에서 하소 하였을때,입경은 40-100nm이며,결정화됨을 관찰하였다.Image 사진에서 간격이 각각 3.3A, 6.6A 인 lattice fringe을 관찰하였다.IR 스펙트럼에서 Si-N 흡수단이 관찰되었다.

목차 Contents

• 제1장 서론...13
• 제1절 초미립자와 공학...14
• 제2절 질화규소 세라믹스...20
• 제3절 연구의 내용...22
• 제2장 문헌고찰...23
• 제1절 기상반응에 의한 초미립자 제조...23
• 1. 기상반응에 의한 분말제조...23
• 2. 기상반응의 원리 및 기구...25
• 3. 기상법의 종류...31
• 4. 기상반응의 특징과 문제점...35
• 제2절 플라즈마법...36
• 1. 플라즈마 구조...36
• 2. 플라즈마 장치...41
• 3. 세라믹 미분체의 합성...45
• 제3절 Si₃N₄미립분말의 제조방법...48
• 1. Si질화법...48
• 2. 실리카 환원법...49
• 3. Imide 열분해법...51
• 4. 직류 플라즈마법...51
• 제3장 DC플라즈마 합성장치의 제작...53
• 제4장 실험방법...62
• 제5장 실험결과...65
• 제6장 결론...85
• 참고문헌...86