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NTIS 바로가기주관연구기관 | LG일렉트론반도체연구소 |
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발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1993-00 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | LG일렉트론반도체연구소 |
등록번호 | TRKO200200009507 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
반도체 제조의 공정기술을 선도하는 것은 DRAM소자이다. 본 연구에서는 0.25um DESiGN RULE을 갖는 256M DRAM급 이상의 소자제조에 있어서 다층배선과 평탄화 공정의 개발을 목적으로 하고 있다. 제 1차 연도의 연구범위는 배선기술분야에서 텅스텐 plug, 환산 장벽물질을 위한 COLL MATOR를 이용한 물리증착공정 및 금속물질을 화학증착법에 관한 논문조사 등을 포함하고 있으며, 평탄화 공정부문에서는 TEOS 산화막을 이용함 평탄화 공정 최적화, 기계화학적 연마(CMP) 공정의 적용가능성 평가, 그리고 BPSG fl
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