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NTIS 바로가기주관연구기관 | 삼성전자(주) Samsung Electronics Co., Ltd. |
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발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1993-00 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | LG일렉트론반도체연구소 |
등록번호 | TRKO200200009520 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
가. LIthography i-line 단독 공정의 경우 WA=0.57에서는 한계 해상력이 0.30㎛ L/S까지는 가능하나 촉점신도부족으로 공정 margin이 없는데, 이를 극복하기 위하여 초해상기술인 변형조명, PSM, DUV process를 사용하였다. 변형조명을 사용했을 경우는 Quadruppole type, Annular type 모두 0.35, 0.30㎛ L/S에서는 초점신도가 약 2.2㎛, 1.2㎛로 만족할 만하나, 실 공정 적용시에는 intensity 저하, proximity effect, pattern 의존성 등의 문
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