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NTIS 바로가기주관연구기관 | 부산대학교 Busan National University |
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연구책임자 | 정해도 |
참여연구자 | 안대균 , 김호윤 , 김경준 , 문도민 , 이성훈 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1998-10 |
주관부처 | 과학기술부 |
과제관리전문기관 | 부산대학교 Busan National University |
등록번호 | TRKO200200010641 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
▷ 초LSI 칩을 제조하기 위해, 1차원으로부터 3차원으로 접근방법이 진행되고 있고, 또 이를 실현하기 위하여 다양한 첨단기술이 적용되고 있다. 즉,
① Chip 선폭의 최소화,
②Chip 크기의 대면적화(수㎠) 및 Wafer의 대직경화(12인치: 300㎜),
③ 다층배선화 및 3차원 구조화가 그 일례이다.
그러나, 이러한 ULSI의 요구에 따라 부상한 기술상의 문제점을 해결하기 위해서는 실리콘 웨이퍼의 제조로부터 ULSI칩 제조에 이르기까지 웨이퍼 표면을 초정밀 경면가공하는 기술이 필요 불가결하다.
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