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[국가R&D연구보고서] 반도체장비 생산설계 고도화 개발(CMP 가공시스템 개발);차세대 반도체의 광역평탄화를 위한 CMP기술 개발
Development of CMP Process for Global Planarization of ULSI 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 부산대학교
Busan National University
연구책임자 정해도
참여연구자 안대균 , 김호윤 , 김경준 , 문도민 , 이성훈
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월1998-10
주관부처 과학기술부
과제관리전문기관 부산대학교
Busan National University
등록번호 TRKO200200010641
DB 구축일자 2013-04-18

초록

▷ 초LSI 칩을 제조하기 위해, 1차원으로부터 3차원으로 접근방법이 진행되고 있고, 또 이를 실현하기 위하여 다양한 첨단기술이 적용되고 있다. 즉,
① Chip 선폭의 최소화,
②Chip 크기의 대면적화(수㎠) 및 Wafer의 대직경화(12인치: 300㎜),
③ 다층배선화 및 3차원 구조화가 그 일례이다.
그러나, 이러한 ULSI의 요구에 따라 부상한 기술상의 문제점을 해결하기 위해서는 실리콘 웨이퍼의 제조로부터 ULSI칩 제조에 이르기까지 웨이퍼 표면을 초정밀 경면가공하는 기술이 필요 불가결하다.

목차 Contents

  • 제1장 서론...12
  • 제1절 연구의 배경...12
  • 제2절 연구개발의 목표...16
  • 제2장 국내외 기술개발 현황...17
  • 제3장 연구개발수행 내용 및 결과...20
  • 제1절 슬러리...20
  • 1.1 슬러리란...20
  • 1.2 슬러리의 조성이 CMP특성에 미치는 영향...26
  • 제2절 슬러리의 pH가 CMP특성에 미치는 영향...42
  • 2.1 절연막 CMP에 있어서 pH의 영향...42
  • 2.2 알루미늄 CMP에서 pH의 영향...44
  • 제3절 슬러리의 희석이 CMP특성에 미치는 영향...51
  • 3.1 슬러리의 희석...52
  • 3.2 실험방법...53
  • 3.3 희석된 슬러리에 의한 pH변화...54
  • 3.4 화학적인 조절에 의한 pH의 안정성...55
  • 3.5 희석된 슬러리에 의한 CMP의 테스트...56
  • 제4절 디바이스웨이퍼의 평탄화 특성...63
  • 4.1 디바이스 웨이퍼의 평탄화 개념...64
  • 4.2 실험방법과 평가방법...67
  • 4.3 실험결과 및 고찰...69
  • 제5절 패턴의 압력분포 해석...78
  • 5.1 패턴의 압력분포 해석...79
  • 5.2 디바이스 웨이퍼의 제작...83
  • 5.3 실험 방법 및 결과...85
  • 5.4 MARC 해석 평가...88
  • 제6절 Backing Material에 의한 영향...92
  • 6.1 실험방법과 평가방법...93
  • 6.2 실험결과 및 고찰...95
  • 제7절 컨디셔닝 기술 개발...102
  • 7.1 컨디셔닝의 개념...102
  • 7.2 기존의 컨디셔닝 방식...106
  • 7.3 새로운 컨디셔닝 기법 개발...108
  • 7.4 최적 컨디셔닝 기법의 개발...117
  • 7.5 결론...124
  • 제4장 연구개발목표 및 대외기여도...125
  • 제1절 연구개발목표 및 내용...125
  • 제2절 대외기여도...127
  • 제5장 연구개발 결과의 활용계획...128
  • 제1절 연구결과의 기대효과...128
  • 제2절 연구결과의 활용...130
  • 제6장 참고문헌...132

연구자의 다른 보고서 :

참고문헌 (25)

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