초록 ▼

디지탈 집적회로의 소자인 Short-Channel MOSFET에서 Subthres-hold전류는 저전압, 저전력 특성을 갖는 집적회로 동작에 많은 영향을 미친다. 따라서 본 연구에서는 Charge-Sharing, fast Surface-States 그리고 불균일한 표면농도분포의 영향을 고려한, 2차원 표면전위로 부터 Subthreshold 전류식을 유도하였고, 채널 길이와 다양한 바이어스(bias)조건에 따라 Subthreshold 전류를 측정, 비교, 검토하였다. 채널 길이가 짧을수록, 서브스트레이트 전압이 증가할수록, 드레인

디지탈 집적회로의 소자인 Short-Channel MOSFET에서 Subthres-hold전류는 저전압, 저전력 특성을 갖는 집적회로 동작에 많은 영향을 미친다. 따라서 본 연구에서는 Charge-Sharing, fast Surface-States 그리고 불균일한 표면농도분포의 영향을 고려한, 2차원 표면전위로 부터 Subthreshold 전류식을 유도하였고, 채널 길이와 다양한 바이어스(bias)조건에 따라 Subthreshold 전류를 측정, 비교, 검토하였다. 채널 길이가 짧을수록, 서브스트레이트 전압이 증가할수록, 드레인 전압에 Subthrehold 전류는 크게 의존함을 확인하였다.

Abstract ▼

A knowledge of the subthreshold current in short-channel MOSFETS is important for integrated circuits for low leakage current and low power application. A subthreshold current model is formulated from a two-dimensional surface potential which includes charge sharing effect, nonuniform surface doping

A knowledge of the subthreshold current in short-channel MOSFETS is important for integrated circuits for low leakage current and low power application. A subthreshold current model is formulated from a two-dimensional surface potential which includes charge sharing effect, nonuniform surface doping profile and fast surface states. The model is experimentally verified over a wide range of bias conditions and channel lengths. It is proved that as channel length decreases and substrate bias increases, the dependence of subthreshold current on drain bias is important.

목차 Contents

• 표지...1
• I. 서론...8
• II.이론...10
• II.1 Subthreshold 전류의 Mechanism...10
• II.2 2차원 표면전위...12
• A. Short -Channel, Narrow-Width 의 형향...12
• B. 이온주입에 의한 불균일 표면농도분포의 영향...15
• C. Fast Surface-States 의 영향...16
• D. 2차원 표면전위...17
• II.3 Subthreshold 전류식...18
• III.실험방법...24
• IV. 실험결과 및 검토...26
• V. 결론...40
• VI. 참고문헌...41