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NTIS 바로가기주관연구기관 | 서강대학교 Sogang University |
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연구책임자 | 김진헌 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1984-08 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 서강대학교 Sogang University |
등록번호 | TRKO200200011145 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
디지탈 집적회로의 소자인 Short-Channel MOSFET에서 Subthres-hold전류는 저전압, 저전력 특성을 갖는 집적회로 동작에 많은 영향을 미친다. 따라서 본 연구에서는 Charge-Sharing, fast Surface-States 그리고 불균일한 표면농도분포의 영향을 고려한, 2차원 표면전위로 부터 Subthreshold 전류식을 유도하였고, 채널 길이와 다양한 바이어스(bias)조건에 따라 Subthreshold 전류를 측정, 비교, 검토하였다. 채널 길이가 짧을수록, 서브스트레이트 전압이 증가할수록, 드레인
A knowledge of the subthreshold current in short-channel MOSFETS is important for integrated circuits for low leakage current and low power application. A subthreshold current model is formulated from a two-dimensional surface potential which includes charge sharing effect, nonuniform surface doping
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