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NTIS 바로가기주관연구기관 | 경상대학교 GyeongSang National University |
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연구책임자 | 마대영 |
참여연구자 | 박기철 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1993-02 |
주관부처 | 과학기술부 |
과제관리전문기관 | 경상대학교 GyeongSang National University |
등록번호 | TRKO200200014653 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 다결정실리콤 박막트랜지스터.저온공정 개발.이온주입공정 제거.poly-Si TFT.low temperature annealing.ion implantation. |
평면표시기의 구동에 필요한 다결정실리콘 박막트랜지스터의 저온공정을 개발하였다. 비정질 실리콘 박막을 저온에서 열처리하여 다결정으로 성장시켰으며 이때 기판이 다결정화에 미치는 영향을 중점적으로 조사하였다. SIPOS, PECVD SiO? 등을 습식산화한 결과 전기적인 특성의 향상을 확인할 수 있었으나 SIPOS의 특성이 가장 우수하여 습식산화한 SIPOS막을 박막 트랜지스터의 게이트절연막으로 사용하였다. 이온주입공정 제거를 위해 heavy doping 된 다결정실리콘 박막을 소스, 드레인 접촉으로 사용하여 트랜지스터를 제조하였다. 그
Low temperature poly-Si TFT processes for displays have been developed. Amorpous Si thin films were crystallized by low temperature annealing. Our research forcused on the substrate effects on the crystallization of Si films. Wet oxidation improved electrical properties of SIPOS, PECVD SiO? films. W
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