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NTIS 바로가기주관연구기관 | 광운대학교 Kwangwoon University |
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연구책임자 | 서광열 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1999-04 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO200200019710 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 비휘발성 반도체 기억소자.초박막 ONO(산화막-질화막-산화막) 게이트 유전막.기억트랩.스케일 다운.NVSM(nonvolatile semiconductor memory).ultrathin ONO(oxide-nitride-oxide) gate dielectric.memory trap.scale-down. |
초박막 ONO(산화막-질화막-산화막) 게이트 휴전박을 갖는 MONOS 기억소자는 MNOS 구조가 갖는 스케일 다운 한계를 극복하기 위해 제안되었으며, 구조가 간단하고 제조공정이 단순하며, 경제성이 뛰어나고 기존의 CMOS 공정을 그대로 적용할 수 있어 저전압, 고집적의 NVSM(nonvolatile semiconductor memory)을 실현시킬 수 있는 EEPROM(electrically erasable and programmable read only memory)으로 기대되고 있다. MONOS NVSM에서 ONO 유전막이 유효
MONOS(metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor) structure with an ultrathin ONO(oxide-nitrideoxide) gate dielectric, which was proposed to overcome the scale-down limit of MNOS(metalnitride-oxide-semiconductor), is compatible with CMOS process technology and offers advantages in simple structure, sim
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