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NTIS 바로가기주관연구기관 | 포항공과대학교 Pohang University of Science and Technology |
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연구책임자 | 이시우 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1998-04 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 포항공과대학교 Pohang University of Science and Technology |
등록번호 | TRKO200200020637 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 저온화학증착.게이트 산화막.박막트랜지스터.계면.오존.TEOS.low-temperature chemical vapor deposition.gate oxide.TFT-LCD.inferface.ozone.TEOD(Tetraethylorthosilicate). |
TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)의 시장이 급격히 성장하면서 저온 Poly-Si TFT-LCD 공정에 대한 관심이 커지고 있다. 본 연구에서는 400℃ 이하의 저온에서 TEOS (Tetraethylorthosilicate)와 오존(O3)을 반응 원료로한 화학 증착법을 이용하여 산화막을 증착하였다. 반응 원료로 사용된 TEOS는 사일렌(SiH4)과 같은 다른 반응 원료에 비해서 화학적으로 안정하고 취급하기 안전한 물질로 알려져 있다. 또한 오존은 강력한 산
Due to an increasing requirement of portable and simpledisplay device in the area of notebook computer and communication devices recently, themarket for TFT-LCD (Thin Film Transistor - Liquid Crystal Display) is expandingvery rapidly. Many groups have studied TFT-LCD materials and proces
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