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반도체 측정 및 검사기술 개발(제2차년도 최종보고서)
Development of Measurements and Inspection Techniques on Semiconductors 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국표준과학연구원
Korea Research Institute of Standards and Science
연구책임자 이확주
참여연구자 조양구 , 박병천 , 조용재 , 김현경 , 임흥순 , 김경중 , 고영욱 , 조현모 , 이윤우
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월1998-09
주관부처 산업자원부
사업 관리 기관 한국표준과학연구원
Korea Research Institute of Standards and Science
등록번호 TRKO200200053946
DB 구축일자 2013-04-18
키워드 반도체.선폭 측정기술.박막.표면조성.박막의 두께.인증표준물.타원해석기.이온주입.semiconductors.line-width measurement.thin film.surface composition.thickness of thin film.certified reference mayerials.ellipsometer.ion implantation.

초록

이 보고서는 반도 측정 및 검사기술 개발의 2차년도 연구결과를 보고한 것으로 다음과 같은 3개 분야의 연구 내용 및 결과가 수록되어 있다.1. 반도체 웨이퍼의 선폭측정 기술개발2. 반도체 박막 표면조성 분석기술개발3. 반도체 박막의 두께 측정 기술 및 인증 표준물 개발

Abstract ▼

The report describes the contents and results of the first year research of development of measurements and inspection techniques on semiconductors.The following research areas are covered in this project:1. The measurement technique of line width in semiconductor wafers2. The surface analysis techn

목차 Contents

  • 제 1 장 서론...9
  • 제 1 절 본 연구의 필요성...9
  • 제 2 절 본 연구의 연구내용...11
  • 제 3 절 각 분야별 주요 연구결과...12
  • 제 2 장 반도체 웨이퍼의 선폭측정 기술 개발...14
  • 제 1 절 선폭 및 피치 측정 장치...14
  • 제 2 절 전자 현미경 배율 교정용 표준 시편의 제작...39
  • 제 3 절 선폭 측정에서 charging effect에 관한 Monte Carlo 시뮬레이션...44
  • 제 4 절 결론...65
  • 참고문헌...67
  • 제 3 장 반도체 박막 표면조성 분석기술 개발...70
  • 제 1 절 서론...70
  • 제 2 절 극미량 표준시료의 제작 및 분석...73
  • 제 3 절 주성분의 정량화를 위한 합금 박막 표준 시료의 제작...86
  • 제 4 절 정량분석을 위한 새로운 표면분석 기술의 개발...100
  • 제 5 절 결론 및 향후 적용방안...127
  • 제 4 장 반도체 박막의 두께 측정기술 및 인증 표준물 개발...128
  • 제 1 절 서론...128
  • 제 2 절 s-파 무반사 조건의 타원해석법을 사용한 Si-SiO₂계면구조 분석...130
  • 제 3 절 SiO₂박막 두께용 CRM 제작 및 보급...152
  • 제 4 절 결론...157
  • 참고문헌...158

연구자의 다른 보고서 :

참고문헌 (25)

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