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NTIS 바로가기주관연구기관 | 유미케미칼 |
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연구책임자 | 신현국 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1996-10 |
등록번호 | TRKO200500032229 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
deep-submicron 선폭의 설계룰을 갖는 차세대 반도체 기억소자의 제조공정에 적용이 예상되는 여러 metal-MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) 증착 공정 중 특히 배선재료용 박막과 층간 확산 방지막(diffusion barrier)용 박막의 증착을 위한 MOCVD 공정을 개발함에 있어 필수적으로 가장 먼저 확보되어야할 요소인 이상적 전구체(precursor) 화합물의 개발
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