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NTIS 바로가기주관연구기관 | 서울대학교 Seoul National University |
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연구책임자 | 한민구 |
참여연구자 | 하민우 , 지인환 , 박중현 , 임지용 , 박현상 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2007-05 |
과제시작연도 | 2006 |
주관부처 | 과학기술부 |
연구관리전문기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO200800000164 |
과제고유번호 | 1350021161 |
사업명 | 원자력연구기반확충사업(기금) |
DB 구축일자 | 2015-01-08 |
키워드 | 전자빔.전력 반도체.고속 스위치.실리콘.Electron beam.Power transistor.IGBT.Fast switch.Silicon. |
본 연구는 전자빔 조사에 의해 발생하는 격자 결함을 치유하는 어닐링을 통한 대한 최적화에 관한 연구로서 IGBT의 고속 스위칭 IGBT를 구현함과 동시에 에너지 손실이 가장 적게 발생하도록 최적화 하였다. 최적 어닐링을 이용하여 1.4 us의 고속 스위칭을 유지하면서 문턱 전압 열화를 1 V 이내로 줄이고 항복 전압 및 순방향 전압 강하의 변화를 최소화함으로써 모든 과제 목표를 성공적으로 달성하였다. 기존 낮은 온도에서 긴 시간을 어닐링 하여 얻은 결과에 비해 본 연구 결과 300 도씨 10분의 어닐링 후 결과가 더욱 나은 결과가
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