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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국생산기술연구원 Korea Institute of Industrial Technology |
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연구책임자 | 최성환 |
참여연구자 | 안인수 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2021-11 |
과제시작연도 | 2021 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202300000027 |
과제고유번호 | 1711150316 |
사업명 | 한국생산기술연구원연구운영비지원(R&D)(주요사업비) |
DB 구축일자 | 2023-03-28 |
키워드 | 고유전 절연막.고신뢰성.산화물.반도체.소자.박막반도체소자.메모리.High-k insulator.Highly reliable.metal-oxide.semiconductor.device.TFT.Memory. |
□ 연구내용
○ 신규 금속전극층 기반 산화물 반도체 소자 공정기술 개발
- IGZO/ITO 동시 스퍼터링된 신규 S/D 금속전극층 기술 개발: 저항률이 0.99 ×10-3 Ωcm 로 크게 감소하는 최적 두께 확인(125nm).
- 기존 ITO 전극층 대비 신규 S/D 금속전극층을 적용한 IGZO TFT 소자의 포화 이동도(Saturation mobility)는 각각 9.1, 35.4cm2/Vs 로 확인.
○ 고유전 절연막 공정 기술 개발 / 고신뢰성 반도체 특성 기
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