초록 ▼

컴퓨터 기억소자에 있어서 점차 크기가 작아지면서도 빠른 속도를 유지하면서도 대용량화시키기 위하여 DRAM 에 대한 고집적화에 대한 연구가 지속되어 왔다. 그에 따라서 Gbit 급 이상의 지속적인 고집적화 기술은 많은 어려움을 겪어 왔으며, 특히 기가비트급의 고집적 DRAM 에 대한 가장 어려운 부분은 작은 유효넓이로 인한 capacitor 의 용량이다. 컴퓨터 기억 소자 용량은 속도, 자료 보유시간 및 내구력을 갖는 결정적인 매개변수이며 신호전압을 결정하는 결정적인 매개변수로 작용한다. 최소용량은 고집적화에 관계 없이 25fF/ce

컴퓨터 기억소자에 있어서 점차 크기가 작아지면서도 빠른 속도를 유지하면서도 대용량화시키기 위하여 DRAM 에 대한 고집적화에 대한 연구가 지속되어 왔다. 그에 따라서 Gbit 급 이상의 지속적인 고집적화 기술은 많은 어려움을 겪어 왔으며, 특히 기가비트급의 고집적 DRAM 에 대한 가장 어려운 부분은 작은 유효넓이로 인한 capacitor 의 용량이다. 컴퓨터 기억 소자 용량은 속도, 자료 보유시간 및 내구력을 갖는 결정적인 매개변수이며 신호전압을 결정하는 결정적인 매개변수로 작용한다. 최소용량은 고집적화에 관계 없이 25fF/cell 이상이 되어야 하며, 고집적화가 되어감에 따라서 빠른 속도와 저전력 DRAM 50nm 급에서 30fF/cell 이 요구될 것으로 예상된다.
본 DRAM 에서의 가장 핵심적인 문제점은 저장능력을 갖고 있는 capacitor의 구조적 한계점이며, 고집적화에 따라 제한적인 크기에 따른 작은 크기에서 높은 성능을 갖는 capacitor를 요구하고 있다.

목차 Contents

• 표지 ...1
• 산업기술개발사업계획서 ...2
• 목차 ...3
• 제1장 서론 ...4
• 제1절 개발기술의 중요성 및 필요성 ...4
• 제2절 국내.외 관련 기술의 현황 ...7
• 제3절 기술개발 시 예상되는 기술적.경제적 파급 효과 ...9
• 제2장 기술개발 내용 및 방법 ...11
• 제1절 최종 목표 및 평가 방법 ...16
• 제2절 연차별 목표 및 평가 방법 ...18
• 제3절 연차별 개발 내용 및 개발 범위 ...20
• 제3장 결과 ...24
• 제1절 연구개발 최종 결과 ...24
• 1. 연구개발 추진 일정 ...24
• 2. 연구개발 추진 실적 ...26
• 가. 차세대 high-k 증착장비 개발 ...26
• 1) 유전막 증착 ...26
• 2) 유전막 분석 ...31
• 3) Hardware 개선 ...36
• 4) 유전막의 물성 평가 ...37
• 나. 차세대 전극 장비 개발 ...55
• 1) 전극 증착 ...55
• 2) 전극 표면처리 연구 ...60
• 다. Precursor 개발 ...68
• 3. 기술개발 결과 ...70
• 제2절 연구개발 추진 체계 ...72
• 1. 각 기관/기업별 역할 및 추진 내역 ...72