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NTIS 바로가기주관연구기관 | 고려대학교 산학협력단 |
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연구책임자 | 김태근 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2011-05 |
과제시작연도 | 2010 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국연구재단 |
등록번호 | TRKO201200002059 |
과제고유번호 | 1345117865 |
DB 구축일자 | 2013-05-20 |
키워드 | p형-갈륨질소,광결정,플립칩 LED,수소저장합금,Al 반사막,투명전도산화막,나노패터닝,광추출효율,수직형 LEDp-GaN,Photonic crystal,Flip-Chip LED,Hydrogen storage alloy,Transparent conductive oxide,Al reflector,Nano-patterning,Light extraction efficiency,Vertical LED |
본 연구는 p-GaN/TCO 전극 사이에 박막 또는 nano-particle 형태의 수소저장합금을 중간층으로 삽입하여 저저항, 고투과 특성을 갖는 p-GaN 투명전극구조를 개발하고 TCO박막위에 높은 접착력을 갖는 Al 전극 증착기술을 확보하여 (1차년도) 수소저장합금/TCO/Al 구조의 flip-chip용 p-GaN 전극을 개발하여 GaN LED에 적용함으로써 기존Ag 반사막의 열 안정성문제를 해결하고자한다 (2차년도). 또한, Al 전극에 광결정 구조를 적용한 높은 반사도 (95%이상)와 ODR 특성을 갖는 전극구조를 개발하고
In this project, we develop a electrode scheme based on Al reflector to remove the thermal instability problem of Ag reflector and eventually to realize highly reliable,high-power GaN LED. At first, we develop low-resistant, high transmittance p-GaN transparent metal by inserting a hydrogen-storage
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