초록 ▼

반도체 생산업체에서는 테스트 비용 절감을 위하여, 테스트 모듈인 프로브 카드의 성능 개선을 요구하고 있다. 기존의 프로브 카드는 반도체 웨이퍼 대비 작은 면적만 대응할 수 있어, 한 장의 웨이퍼를 Test 하기 위해 수 십 번의 반복 접촉이 필요하였다. 그러나, 2004년 이 후 본격적으로 개발된 MEMS 프로브 카드가 도입되면서, 더 많은 수의 칩을 동시에 Test할 수 있게 되었고, NAND Flash용 200mm Wafer, NAND Flash용 300mm Wafer를 한번의 접촉으로 Test할 수 있는 프로브 카드가 단계적으

반도체 생산업체에서는 테스트 비용 절감을 위하여, 테스트 모듈인 프로브 카드의 성능 개선을 요구하고 있다. 기존의 프로브 카드는 반도체 웨이퍼 대비 작은 면적만 대응할 수 있어, 한 장의 웨이퍼를 Test 하기 위해 수 십 번의 반복 접촉이 필요하였다. 그러나, 2004년 이 후 본격적으로 개발된 MEMS 프로브 카드가 도입되면서, 더 많은 수의 칩을 동시에 Test할 수 있게 되었고, NAND Flash용 200mm Wafer, NAND Flash용 300mm Wafer를 한번의 접촉으로 Test할 수 있는 프로브 카드가 단계적으로 개발되어, 현재 반도체 생산에 적용되고 있다. 또한, DRAM Wafer Test 용 300mm Full Wafer Contact Type의 프로브 카드 역시 일부 업체에서 개발하여 반도체 생산에 투입되고 있다. 대면적 프로브 카드의 가격은 기존 프로브 카드대비 매우 고가임에도 불구하고, 생산성 향상 등의 장점을 갖고 있어, 대부분의 반도체 생산업체에서는 대면적 프로브 카드로 전환하는 추세이다.
한 편, 2008년 5월에 인텔, 삼성, TSMC는 2012년부터 반도체 생산용 웨이퍼를 300mm에서 450mm 웨이퍼로 전환하는데 합의함으로써, 본 과제 종료 시점인 2011년 하반기 이 후에는 450mm 웨이퍼에서 생산되는 반도체 칩을 Test 할 수 있는 Probecard 수요가 발생하게 된다.

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 기술개발 추진현황 ... 2
• 1. 기술개발 내용 ... 5
• 가. 기술개발 목표 및 세부개발내용 ... 6
• 나. 기술개발 해결 방법 수행 실적 ... 7
• 다. 산업재산권 출원.등록 및 논문 게재.발표 ... 28
• 2. 결론 ... 28
• 끝페이지 ... 29