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투명 플렉시블 디스플레이를 위한 저온 ZnO 기반 박막 트랜지스터 제작 연구
A study of Fabrication of low temperature ZnO based thin film transistor for transparent flexible display 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국해양대학교
Korea Maritime University
연구책임자 김홍승
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2006-07
주관부처 정보통신부
사업 관리 기관 정보통신연구진흥원
Institute for Information Technology Advancement
등록번호 TRKO201000018690
DB 구축일자 2013-04-18

초록 ▼

본 연구의 최종 목표는 플렉시블 기판 위에 1) 이동도: 5 ~ 15 $cm^2$ / Vㆍs, 2) I_{on} / I_{off} : $10^6$ ~ $10^7$를 갖는 ZnO 기반의 박막 트랜지스터 구현이며 이를 위해 활성층과 게이트 산화막 개선이라는 두가지 방향을 잡아 연구를 하고자 하며 활성층 연구는 ZnO(In/Ga/Al/Li)에 대한 hall mobility 및 광투과성과 같은 전기적 광학적 특성 평가를 하고 여러 형성 방식의

Abstract ▼

Our aims for this study are implementation of ZnO base thin film transistor and optimization of fabriation process to obtain the process condition on the flexible substrate. We studied the several types of ZnO layer such as deposition methods, impurities and heat treatment and several kinds of insul

목차 Contents

  • 요약문 ...1
  • SUMMARY ...5
  • 목차 ...8
  • Contents ...9
  • 표목차 ...10
  • 그림목차 ...11
  • 제1장 서론 ...13
  • 제1절 연구의 필요성 ...13
  • 제2절 연구의 배경 및 전망 ...14
  • 제3절 국내외 연구 동향 ...16
  • 참고문헌 ...19
  • 제2장 본론 ...20
  • 제1절 ZnO 특성 및 ZnO TFT 작동 특성 ...20
  • 1. ZnO 일반적인 성질 ...20
  • 2. ZnO 박막 트랜지스터의 작동 특성...25
  • 제2절 실험 방법 ...29
  • 1. ZnO 증착 ...29
  • 2. 여러방법에 따른 절연막 형성 ...31
  • 3. TFT 패턴 형성 ...33
  • 4. 도핑 ...35
  • 5. 특성 측정 ...35
  • 6. 전계 효과 이동도 계산 ...38
  • 제3절 실험 결과 ...39
  • 1. 기본 ZnO 박막 증착 특성 ...39
  • 2. 두께 변화에 따른 특성 변화 ...40
  • 3. 산화막에 따른 특성 변화 ...48
  • 4. 도핑 특성 ...52
  • 가. 산소 농도 변화에 따른 전기적 특성 ...52
  • 나. NH3 분위기에서 ZnO 박막의 전기적 특성 ...55
  • 다. PLD 법을 이용한 ZnO, ZnO(In), ZnO(Ga) ...59
  • 5. 저온 절연막 특성 ...62
  • 제3장 결론 ...69

참고문헌 (25)

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