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NTIS 바로가기주관연구기관 | 서강대학교 Sogang University |
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연구책임자 | 정현식 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2011-05 |
과제시작연도 | 2010 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국연구재단 |
등록번호 | TRKO201200002108 |
과제고유번호 | 1345118067 |
DB 구축일자 | 2013-05-20 |
키워드 | 그래핀,흑연,열전도도,라만,분광이미징,나노,포논,전자구조,열팽창Graphene,Graphite,Thermal Conductivity,Raman,Spectroscopic Imaging,Nano,Phonon,Electronic Structure,Thermal Expansion |
원자힘현미경(AFM)과 라만분광법을 이용하여 그래핀의 두께에 따른 라만스펙트럼을 측정하여 매우 얇은 그래핀의 두께를 라만분광법을 사용하여 정확히 측정할 수 있는 기술을 개발하였다.
그래핀과 실리콘기판 사이에 있는 실리콘 산화막(SiO2)의 두께와 라만스펙트럼의 상관관계를 밝힘으로써 그래핀 라만분석 시 SiO2 층의 중요성을 밝혔다.
그래핀이 놓여진 SiO2층을 식각하여 그래핀이 공중에 떠있는 부분이 생기도록 시료를 만들어 라만스펙트럼을 측정/분석하여 SiO2층에 의해 그래핀이 약간의 도핑이 되는 것을 밝혔다.
그래핀
A technique to determine the thickness of very thin few-layer graphene films was developed by using Raman spectroscopy and atomic force microscopy. By carefully analyzing the correlation between the silicon dioxide layer between graphene and the silicon substrate, we elucidated the importance of the
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