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비정상 성장 거동이 제한된 고유전율 SrTiO3 유전막의 원자층증착 공정 개발
Atomic layer deposition of high-k SrTiO3 dielectric thin films with reduced nonideal growth behavior 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 명지대학교
MyongJi University
연구책임자 이웅규
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2022-03
과제시작연도 2021
주관부처 과학기술정보통신부
Ministry of Science and ICT
등록번호 TRKO202200015744
과제고유번호 1711147473
사업명 개인기초연구(과기정통부)(R&D)
DB 구축일자 2022-11-16
키워드 원자층증착.커패시터.박막.산화물.고유전율.atomic layer deposition.capacitor.thin film.oxide.high dielectric constant.

초록

□ 연구개요
ㅇ 연구의 최종목표는 (1) 비정상 성장 거동이 제한된 SrTiO3 기반 유전 박막의 ALD 공정 개발 및 (2) SrTiO3 기반 차세대 DRAM 커패시터 소자 개발이다.
ㅇ DRAM은 1개의 트랜지스터와 1개의 커패시터로 이루어져 있으며, 소자의 점차 집적화됨에 따라 커패시터의 필요정전용량을 확보하기가 어려워지고 있다. 본 연구 과제는 현재 상용화되고 있는 ZrO2 기반 유전막(유전율 30-40)보다 유전율이 훨씬 큰 SrTiO3

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 연구결과 요약문 ... 2
  • 목차 ... 3
  • 1. 연구개발과제의 개요 ... 4
  • (1) 연구개발의 목적 ... 4
  • (2) 연구개발의 필요성 ... 4
  • (3) 연구자가 수행하고자 했던 가설 ... 4
  • (4) 연구 범위 ... 4
  • 2. 연구개발과제의 수행 과정 및 수행 내용 ... 5
  • 3. 연구개발과제의 수행 결과 및 목표 달성 수준 ... 12
  • (1) 정성적 연구개발성과(연구개발결과) ... 12
  • (2) 세부 정량적 연구개발성과 ... 12
  • (3) 목표 달성 수준 ... 12
  • (4) 목표 미달 시 원인 분석 ... 13
  • 4. 연구개발성과의 관련 분야에 대한 기여 정도(연구개발결과의 중요성) ... 13
  • 5. 연구개발성과의 관리 및 활용 계획 ... 13
  • 6. 참고문헌 ... 14
  • [붙임1] 세부 정량적 연구개발성과 ... 15
  • [붙임2] 연구책임자 대표적 연구실적 및 증빙(요약문 및 사본) ... 17
  • 끝페이지 ... 17

표/그림 (13)

참고문헌 (25)

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