최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기주관연구기관 | 명지대학교 MyongJi University |
---|---|
연구책임자 | 이웅규 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2022-03 |
과제시작연도 | 2021 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202200015744 |
과제고유번호 | 1711147473 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2022-11-16 |
키워드 | 원자층증착.커패시터.박막.산화물.고유전율.atomic layer deposition.capacitor.thin film.oxide.high dielectric constant. |
□ 연구개요
ㅇ 연구의 최종목표는 (1) 비정상 성장 거동이 제한된 SrTiO3 기반 유전 박막의 ALD 공정 개발 및 (2) SrTiO3 기반 차세대 DRAM 커패시터 소자 개발이다.
ㅇ DRAM은 1개의 트랜지스터와 1개의 커패시터로 이루어져 있으며, 소자의 점차 집적화됨에 따라 커패시터의 필요정전용량을 확보하기가 어려워지고 있다. 본 연구 과제는 현재 상용화되고 있는 ZrO2 기반 유전막(유전율 30-40)보다 유전율이 훨씬 큰 SrTiO3
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.