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NTIS 바로가기주관연구기관 | 공주대학교 Kongju National University |
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보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2012-05 |
과제시작연도 | 2011 |
주관부처 | 중소기업청 Small and Medium Business Administration |
과제관리전문기관 | 한국산학연협회 Korea Association of University, Research Institute and Industry |
등록번호 | TRKO201200008555 |
과제고유번호 | 1425068666 |
사업명 | 산학연협력기술개발 |
DB 구축일자 | 2013-05-20 |
본 기술의 개발은 실리콘의 염소화 공정을 통해 합성석영유리, 합성실리카, 광섬유, Fumed Silica, TEOS, TMOS, 질화규소, 탄화규소 등을 제조하기 위한 출발물질인 사염화규소(SiCl4)의 제조기술 개발이다.
사염화규소(SiCl4)는 대표적으로 삼염화실란(SiHCl3), 모노실란(SiH4)과 더불어 반도체를 제조하기 위한 출발 물질로 그 구조 및 물리적 특성은 다음과 같다. 사염화규소(SiCl4) 제조방법은 일반적으로 규사, 목탄의 코크스 등 탄소와 염소를 원료로 하여 고온반응을 통해 제조하는 방법과 금속규소를
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