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NTIS 바로가기주관연구기관 | 단국대학교 산학협력단 DanKook University |
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보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2010-04 |
과제시작연도 | 2009 |
주관부처 | 교육과학기술부 Ministry of Education and Science Technology(MEST) |
등록번호 | TRKO201300012317 |
과제고유번호 | 1345100112 |
사업명 | 중견연구자지원 |
DB 구축일자 | 2013-08-26 |
키워드 | 유도결합 플라즈마.원자층 박막공정.박막.p형 도핑.불순물.Plasma.Atomic Layer Deposition.Thin Film.ZnO.p-type Doping.Impurity. |
연구의 목적 및 내용
유도결합 플라스마 원자층 박막증착기술 및 가속이온빔을 이용하여 저온 ZnO 박막공정 간에 플라즈마 처리된 반응가스의 흡탈착을 유도하고, 나노미터 스케일의 ZnO 박막이 적절한 반도체적 특성을 띠게 한다. 이를 통해 신뢰성 있는 p형 ZnO 박막성장의 기초기술을 확보한다. 박막 내에 포함된 불순물에 따른 물성변화를 분석하여 차세대 반도체 및 디스플레이 전 분야에의 응용범위가 큰 ZnO 박막 증착기술을 제공한다.
연구결과
1차년도 연구결과:
- 유도결합 플라스마 원자층 박막 증착(PEALD)장
Purpose & contents
ZnO is very important semiconductor material. However, the impurity doping is not developed with satisfaction. The purpose of this study is to fabricate ZnO thin films using plasma and ion beam. The electrical and optical characteristics of fabricated ZnO films will be studied.
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