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NTIS 바로가기주관연구기관 | 페어차일드코리아반도체(주) |
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보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2010-12 |
과제시작연도 | 2009 |
주관부처 | 지식경제부 Ministry of Knowledge Economy |
등록번호 | TRKO201300024381 |
과제고유번호 | 1415101280 |
사업명 | 전력산업원천기술개발 |
DB 구축일자 | 2013-09-14 |
키워드 | 인버터.IGBT.Ruggedness.NonPunchThrough.Planar Gate.Trench Gate.FieldStop. |
핵심기술
1. 70um wafer두께를 위한 Ultra Thin Wafer 공정기술 확보
2. NPT/Field Stop 및 Trench Gate Technology 기술 확보
3. 600V/1200V SiC 다이오드 제작 및 공정기술 확보
4. 1200V SiC 트랜지스터 설계 및 단위공정기술 확보
5. 600V/1200V GaN SBD 설계 및 단위공정기술 확보
6. 600V GaN HEMT 설계 및 단위공정기술 확보
최종목표
1. 600V/200A Field Stop Planar IG
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