초록 ▼

2. 개발내용 및 결과
Wafer Bonder 장비의 핵심 부품인 Vacuum module, Heating module, Cooling module, Pressure module, Flag control module, Cooling stage module를 개발하고 이로부터 Wafer bonder system을 개발하였다. 개발을 위하여 먼저 온도 시뮬레이션을 통하여 히터 및 냉각 장치를 설계하였으며 3차원 설계 및 검증을 거쳐 부품 및 완제품을 제작하였다. 완성된 Wafer bonder에 대하여 평탄도 시험, 온도 시험, 기

2. 개발내용 및 결과
Wafer Bonder 장비의 핵심 부품인 Vacuum module, Heating module, Cooling module, Pressure module, Flag control module, Cooling stage module를 개발하고 이로부터 Wafer bonder system을 개발하였다. 개발을 위하여 먼저 온도 시뮬레이션을 통하여 히터 및 냉각 장치를 설계하였으며 3차원 설계 및 검증을 거쳐 부품 및 완제품을 제작하였다. 완성된 Wafer bonder에 대하여 평탄도 시험, 온도 시험, 기압력 시험, 진공도 시험, Leak Test 시험 및 공정 시험을 실시하고, 온도 균일도 1.5%, 최고 온도 600도, 가열 시간 9 분, 냉각 시간 18분, 공정 시간 30분, 감압지를 이용한 평탄도 확인, 2.2*10-6 torr의 진공도 기술을 확보하였다.

목차 Contents

• 표지 ... 1
• (현장맞춤형 기술개발, 이전기술사업화 지원)사업 최종보고서 초록 ... 2
• 목 차 ... 3
• 제 1 장 서론 ... 4
• 제 1 절 기술개발의 중요성 ... 4
• 1. 기술적인 측면 ... 4
• 2. 경제/산업적인 측면 ... 5
• 제 2 절 Wafer Bonder 시장 ... 7
• 1. Wafer Bonder 판매지역 : 미국, 일본, 한국, 중국, 기타 ... 7
• 2. Wafer Bonder 시장규모 ... 7
• 제 2 장 기술개발 내용 및 방법 ... 9
• 제 1 절 Wafer Bonding 기술의 분류 ... 9
• 1. Anodic bonding ... 9
• 2. Intermediate-layer bonding ... 9
• 3. Wafer direct bonding ... 10
• 제 2 절 개발 일정 ... 11
• 제 3 절 개발 내용 (주관기업) ... 12
• 1. Bonder teemperature simulation ... 12
• 2. Bonder module의 설계 및 제작 ... 15
• 3. Bonder system의 설계 및 제작 ... 17
• 4. 웨이퍼 본딩 실험 준비 ... 18
• 제 4 절 개발 내용 (참여기업) ... 21
• 제 3 장 결과 ... 24
• 제 1 절 측정 결과 ... 24
• 1. 평탄도 측정 ... 24
• 2. 온도 측정 ... 24
• 3. 가압력 측정 ... 28
• 4. 접합 시간 ... 28
• 5. 진공도 측정 ... 29
• 6. 기술개발 목표의 평가 결과 ... 29
• 제 2 절 기대 효과 ... 30
• 1. 기술 파급 효과 ... 30
• 2. 수입 대체 효과 ... 30
• 3. 고용효과 ... 32
• 제 3 절 파급효과 및 활용방안 ... 33
• 끝페이지 ... 33