초록 ▼

□ 핵심기술
- MOCVD에 의한 AlN 막, 혹은 GaN 막 증착에서 기생반응을 없애고, 증착속도를 올리고, 파티클발생을 줄여서 템플릿제조에서 혁신적인 생산성 향상을 달성하는 것

□ 개발의 목표
1) 기판 : 2“ 실리콘 및 사파이어
2) Al_xGa_1-xN 막에서 (102) FWHM <500arcsec, 두께 및 조성 균일도 < 3%(1σ). 단, x>50%
3) AlN 의 crack-free thickness > 0.5um, bowing < 20um

□ 핵심기술
- MOCVD에 의한 AlN 막, 혹은 GaN 막 증착에서 기생반응을 없애고, 증착속도를 올리고, 파티클발생을 줄여서 템플릿제조에서 혁신적인 생산성 향상을 달성하는 것

□ 개발의 목표
1) 기판 : 2“ 실리콘 및 사파이어
2) Al_xGa_1-xN 막에서 (102) FWHM <500arcsec, 두께 및 조성 균일도 < 3%(1σ). 단, x>50%
3) AlN 의 crack-free thickness > 0.5um, bowing < 20um
4) 샘플제공 및 양산을 겸할 수 있는 반응실 제작 및 진공 시험.

□ 개발내용 및 결과
1)Al_xGa_1-xN 막 증착에서 높은 품질의 막을 얻음.
- FWHM(002)값으로서 440arcsec(Al~56%), 260arcsec(Al~24%)
- 여기에는 GaN/사파이어 템플릿(GaN 두께 약 3um)가 사용됨.

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 제 출 문 ... 2
• 기관주요사업 요약서(초록) ... 3
• 목차 ... 6
• 제 1 장 서론 ... 7
• 제 1 절 개발기술의 중요성 및 필요성 ... 7
• 제 2 절 국내·외 관련 기술의 현황 ... 8
• 1. GaN 전력반도체의 용도 ... 8
• 2. GaN 전력반도체 상용화 요구조건 ... 8
• 3. GaN 전력반도체 시장 ... 10
• 4. 종래 기술의 문제점과 이를 해결하기 위한 방안 ... 11
• 제 3 절 기술개발 시 예상되는 기술적·경제적 파급 효과 ... 18
• 1. 기술적 파급효과 ... 18
• 2. 경제적 파급효과 ... 18
• 3. 산업적 파급효과 ... 18
• 제 2 장 기술개발 내용 및 방법 ... 19
• 제 1 절 당해년도 목표 및 평가 방법 ... 19
• 제 2 절 당해연도 개발 내용 및 개발 범위 ... 19
• 제 3 장 결과 및 향후 계획 ... 20
• 제 1 절 연구개발 추진 체계 ... 20
• 1. 연구개발 추진 전략 ... 20
• 2. 연구개발 추진 체계 ... 21
• 3. 연구수행 편성도 ... 22
• 제 2 절 당해년도 연구개발 결과 ... 22
• 1. 당해년도 연구개발 추진 일정 및 달성도 ... 22
• 2. 당해연도 연구개발 추진 실적 ... 23
• 제 3 절 기대효과 및 사업화 계획 ... 30
• 1. 템플릿 시장 전망 ... 30
• 2. 사업화 계획 ... 31
• 3. 제언 ... 32
• 제 4 장 참고문헌 ... 33
• 끝페이지 ... 34