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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국반도체연구조합 Consortium of Semiconductor Advanced Research |
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연구책임자 | 심태헌 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2017-07 |
과제시작연도 | 2016 |
주관부처 | 산업통상자원부 Ministry of Trade, Industry and Energy |
등록번호 | TRKO201800040175 |
과제고유번호 | 1711041032 |
사업명 | 전자정보디바이스산업원천기술개발 |
DB 구축일자 | 2018-10-13 |
키워드 | 에피성장.에피장비.전력용.갈륨나이트라이드.실리콘저마늄. |
핵심기술
o 1세부 : 에피성장 측정․분석 및 에피성장 전력반도체 원천기술 개발
- 800V GaN 전력반도체 에피성장/소정공정
- SiGe CMOS 에피기술
o 2세부 : 고내압 전략반도체 에피구조 설계 및 에피성장 장비 개발
- 6, 8인치 적용 가능한 Bridge Type 대구경 MOCVD 장비 적용 기술
o 3세부 : 12인치 웨이퍼 고생산성 차세대 10nm 이하급 소자용 Si, SiGe 및 Ge 선택적 에피 성장 장비개발
- Ge 박막의 층착 chemistry 평가기술 개발
- β
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