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NTIS 바로가기주관연구기관 | 충남대학교 Chungnam National University |
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연구책임자 | 김현석 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2018-06 |
과제시작연도 | 2017 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO201900024117 |
과제고유번호 | 1711057440 |
사업명 | 원자력연구기반확충사업 |
DB 구축일자 | 2020-08-15 |
키워드 | 박막 트랜지스터.산화물 반도체.이동도.저온공정.Thin-Film Transistor.Oxide semiconductor.Mobility.IGZO.Low temperature process. |
차세대 디스플레이로 각광받고 있는 플렉서블 디스플레이를 구현하기 위해서는 기존 유리기판이 아닌 고분자 기판을 사용할 필요가 있다. 고분자 기판은 그 유리전이온도가 유리기판에 비해 현저히 낮아 기상용화된 고온 열처리를 적용하기 매우 어렵다. 따라서 저온 공정의 개발이 필수적이다.
본 연구과제를 통해 전자빔 조사를 통한 저온 공정을 실현하였으며, 매우 짧은 시간동안 조사하여 100 ℃ 미만의 공정온도에서 기존 고온열처리를 통해 제조한 IGZO TFT 대비 비등한 특성을 가진 TFT를 제조할 수 있었다.
(출처 : 보고
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