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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국전기연구원 Korea Electrotechnology Research Institute |
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연구책임자 | 방욱 |
참여연구자 | 강인호 , 김형우 , 문정현 , 나문경 , 석오균 , 김상철 , 김남균 , 정현진 , 김영조 , 구상모 , 하민우 |
보고서유형 | 1단계보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2020-02 |
과제시작연도 | 2019 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
과제관리전문기관 | 한국전기연구원 Korea Electrotechnology Research Institute |
등록번호 | TRKO202000007943 |
과제고유번호 | 1711101304 |
사업명 | 한국전기연구원연구운영비지원(R&D)(주요사업비) |
DB 구축일자 | 2020-07-29 |
키워드 | 탄화규소.모스펫.트렌치.다이오드.고전류밀도.SiC.MOSFET.trench.diode.high current density. |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO202000007943 |
1차년도 :
- 고전류밀도 소자 셀 설계 및 단위공정 최적화연구
- SiC에 적합한 trench 공정 개발 (2차년도 일괄공정화)
2차년도 :
- SiC trench MOSFET 샘플 제작후 문제점 파악.
- 국내 생산기술로 100A급 대전류 소자제작 성공 (SiC 대전류소자 구현의 한계를 국내 기술로 극복 의미, 국내 SiC기반 전력반도체 기술이 선진국과 동등한 수준임을 의미)
3차년도 :
- 1.2kV/20A급 SiC trench MOSFET 시제품 제작(과제 주목표)
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