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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국항공대학교 Hankuk Aviation University |
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연구책임자 | 황완식 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2020-03 |
과제시작연도 | 2019 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202100000847 |
과제고유번호 | 1711088143 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2021-06-05 |
키워드 | 산화갈륨.도핑.전력반도체.자외선 센서.광촉매.전기방사.수열합성.스퍼터링.나노와이어. |
○ 연구개요
산화갈륨은 높은 에너지 밴드갭을 갖는 반도체로서 전력소자로 응용이 가능하기 때문에 신소재로 관심이 높아가고 있음. 기존의 와이드 밴드갭 소재인 SiC와 GaN 대비잉곳(ingot)으로 제작할 수 있기 때문에 고순도 단결정을 얻을 수 있고 단가 경쟁력이 뛰어나다. 산화갈륨은 전력소자의 기판으로 응용뿐만 아니라, 직접천이 특성을 보이기 때문에 광-전하 관련 특성도 우수할 것으로 판단됨. 따라서 산화갈륨의 전기적 특성 제어를 위해 n-type 산화갈륨을 제작하고 게이트 스택에서 필요한 공정을 확보하는 것이 중요함. 덧붙
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