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NTIS 바로가기주관연구기관 | 서울대학교 Seoul National University |
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연구책임자 | 황철성 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2017-11 |
과제시작연도 | 2016 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202100004094 |
과제고유번호 | 1711044387 |
사업명 | 개인연구지원 |
DB 구축일자 | 2021-07-03 |
키워드 | 차세대 반도체소자.디램커패시터.상전이메모리.저항변화메모리.강유전체메모리.삼차원메모리논리소자.단원자층박막증착.비정상적증착거동.다성분계박막증착.Next-Generation Semiconductor Device.DRAM Capacitors.Phase Change RAM (PCRAM).Resistive Switching RAM (ReRAM).Ferroelectric RAM (FRAM).3D Memory Device.Atomic Layer Deposition.Abnormal Growth Behaviors.Multi-component ALD. |
□ 연구의 목적 및 내용
본 연구 과제는 10nm급 차세대 반도체 소자 기술 구현을 위한 소자 연구 및 집적 공정 연구를 총괄적으로 수행하여 물리적 한계에 다다른 현 소자 기술의 해법을 제시하는 것을 목표로 함. 창의적 소자 연구로서 고성능 차세대 메모리용 소자를 위해 DRAM에서의 음의 커패시턴스 효과 및 2DEG 적용, PcRAM에서의 IPCM, ReRAM에서의 금속 양자점 삽입 자가정류 소자, HfO2 기반의 FeRAM, FeFET, 그리고 3차원 적층 구조의 메모리 소자를 위해 이용될 산화물 반도체
□ Purpose&contents
The goal of research project is to develop integrated solution for current device technology challenged by physical limit by conducting both device and integrated process research and realizing 10nm class next-generation semiconductor device technology. The contents of this res
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