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NTIS 바로가기주관연구기관 | 성균관대학교 SungKyunKwan University |
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연구책임자 | 최평호 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2020-06 |
과제시작연도 | 2020 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202100012538 |
과제고유번호 | 1345312222 |
사업명 | 이공학학술연구기반구축(R&D) |
DB 구축일자 | 2021-08-21 |
키워드 | 고유전율.게이트 유전막.하프늄지르코늄 실리케이트.전기적 특성.신뢰성. |
□ 연구개요
Si 기반 MOSFET는 무어의 법칙에 따라 high-k metal gate 기반의 10nm node 기술까지 개발되어 왔으나 물리적 스케일링에 따른 성능 향상이 한계에 직면하여 drain current를 향상시키고 gate leakage current를 감소시키는 새로운고 유전상수의 물질 개발의 필요성이 부각되었음. 이에 본 연구에서는 7nm 이하 logic transistor를 위한 (HfZrO4)1-x(SiO2)x 물질 개발 및 소
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