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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
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연구책임자 | 장홍영 |
참여연구자 | 김동우 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2019-09 |
과제시작연도 | 2019 |
주관부처 | 산업통상자원부 Ministry of Trade, Industry and Energy |
등록번호 | TRKO202200006271 |
과제고유번호 | 1711093320 |
사업명 | 전자정보디바이스산업원천기술개발(R&D) |
DB 구축일자 | 2022-08-13 |
키워드 | 다중 플라즈마.고밀도 플라즈마.질화 농도.깊이 분포.저온 공정.균일도. |
3. 개발결과 요약
□ 최종목표
- Gate spacer와 gate oxide 저온 공정에 적용하기 위한 기술 개발
*고밀도 다중 플라즈마 원 최적화
*우수한 특성(질화 농도/step coverage))을 갖는 저온 공정 기술 개발
□ 개발내용 및 결과
- 고밀도 다중 플라즈마 원 최적화
* 기초 연구를 바탕으로 high aspect ratio에 적용 가능한 공정 기술 개발을 위한 고밀도 다중 플라즈마 원 최적화
- 우수한 특성(질화 농도/step coverage)을 갖는 저온 공정
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