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NTIS 바로가기주관연구기관 | 서울과학기술대학교 |
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연구책임자 | 김사라은경 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2022-03 |
과제시작연도 | 2021 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202200012935 |
과제고유번호 | 1711129816 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2022-10-18 |
키워드 | 구리접합.플라즈마 전처리.저온 접합.3D 패키징.웨이퍼 레벨 접합.Cu bonding.Plasma pre-treatment.Low temperature bonding.3D Packaging.Wafer level bonding. |
□ 연구개요
본 연구는 전자소자를 수직으로 적층하는 기술 중 웨이퍼와 웨이퍼를 접합하는 저온 Cu 접합 기술 개발을 최종 목표로 함. Cu 접합 계면의 접합성을 향상하고 저온 Cu 접합을 위한 Cu 표면 처리 기술 연구가 핵심이며, 250℃ 이하의 저온 웨이퍼 접합 기술을 확보하고자 함. 또한, 플라즈마 표면 처리 상태와 접합 상태의 상호 간 메커니즘을 규명하려고 함.
□ 연구 목표대비 연구결과
연구 기간 내 설정 목표는 모두 달성하였으며, 연구 결과 요약은 아래와 같음.
1차년도
■ 플라즈마 전처
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