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NTIS 바로가기주관연구기관 | 서울과학기술대학교 |
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연구책임자 | 한정환 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2022-03 |
과제시작연도 | 2021 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202200013964 |
과제고유번호 | 1711143524 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2022-10-25 |
키워드 | 원자층 증착법.산화물 반도체.정공 이동도.투명 디스플레이.상보형 로직 소자.Atomic Layer Deposition.Oxide Semiconductor.Hole Mobility.Transparent Display.Complementary Logic Device. |
연구개요
p형 투명 전도성 산화물 및 반도체 산화물은 LED, 투명 트랜지스터, 태양전지 등 여러 전자 소자로의 응용 가능성과 함께 특히 n형 반도체와의 결합을 통한 CMOS 구현으로 로직 소자의 혁신적 변화를 가져올 수 있음. 그러나 p형 산화물 반도체의 경우 n형 대비 전하 수송 특성이 매우 떨어져 균형 잡힌 CMOS 소자의 개발을 제한하는 병목 기술로 작용하고 있음. 본 연구에서는 이를 극복(Breakthrough)할 고성능의 p형 전도성 산화물 및 전자 소자 개발을 목표로 하여 ALD 공정과 p형 SnO 소재를 기반으로
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