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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국전기연구원 Korea Electrotechnology Research Institute |
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연구책임자 | 손채화 |
보고서유형 | 연차보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2023-12 |
과제시작연도 | 2023 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
과제관리전문기관 | 한국전기연구원 Korea Electrotechnology Research Institute |
등록번호 | TRKO202400000842 |
과제고유번호 | 1711196250 |
사업명 | 한국전기연구원연구운영비지원(주요사업비) |
DB 구축일자 | 2024-06-26 |
키워드 | 초고주파.플라스마.원자층.공정.반도체.microwave.plasma.atomic layer.process.semiconductor. |
□ 연구개발 목표 및 내용
◎ 최종 목표
원자층 단위 공정 혁신을 위한 초고주파 플라스마 원천기술 개발
◎ 전체 내용
고출력 초고주파 고정밀 제어 기반 고품위 플라스마를 적용한 반도체 제조 응용 개연성 실증 데이터 확보를 위한 원자층 공정 기본 시스템 개발
◎ 1단계
● 목표
원자층 단위 공정 혁신을 위한 초고주파 플라스마 원천기술 개발
● 내용
○ 시변-위상 제어 기술 기반의 초고주파 플라스마 시스템 연구
- 공정 가스 주입 환경에서 초고주파 플라스마 균일도 향상
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