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| 저자 | 연합뉴스 제공 |
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| 원문 | 사이언스타임즈 |
| 출처 | https://www.sciencetimes.co.kr/?p=124009 |
그래핀은 매우 얇고 실리콘보다 100배 이상 전자를 빠르게 이동시킬 수 있다는 특성 덕분에 차세대 소재로 주목받는다. 그러나 반도체 특성이 없어서 실용성에 한계를 보이고 있다.
이황화몰리브덴(MoS₂)은 그래핀처럼 아주 얇은 층 구조를 가져 박막 제작에 유리하고, 그래핀에는 없는 반도체 특성이 있어 초소형 전자소자 소재로 기대를 얻고 있다.
7일 미래창조과학부에 따르면 서울대 물리천문학부 이탁희 교수 연구팀은 두께가 0.65나노미터(㎚)인 이황화몰리브덴을 이용해 초박막 전자소자를 만드는 새롭고 간편한 기술을 개발했다. 연구팀은 이황화몰리브덴을 화학기상증착법(CVD)으로 기판 위에 수 센티미터(㎝) 크기 면적으로 넓게 성장시켜 전자소자로 만들 수 있게 했다.
기존에도 화학기상증착법으로 이황화몰리브덴을 얻어내는 기술은 있었지만, 한발 더 나아가 선택적으로 원하는 곳에만 이황화몰리브덴을 분포시키는 제작 기술은 미미했다.
연구팀은 원하는 모양대로 구멍을 뚫은 판인 ‘섀도 마스크’(shadow mask)를 활용해 원하는 곳에, 원하는 모양으로 이황화몰리브덴을 분포시키는데 성공했다. 이 제조법은 평면에 넓게 만들어진 물질을 깎아내는 후처리 과정이 필요 없어서 높은 순도의 이황화몰리브덴을 얻을 수 있고, 고유한 반도체 특성을 잘 유지할 수 있다는 것이 장점이다.
이황화몰리브덴의 화학적 조성을 분석해 높은 순도를 확인하는 작업은 이 교수 연구팀과 포항가속기연구소의 공동연구로 진행했다.
이번 연구에 대해 이 교수는 “매우 얇은 반도체 소재를 활용할 가능성을 높였다”고 평가했다. 이번 연구는 미래부와 한국연구재단이 추진하는 ‘리더연구자지원사업’과 ‘선도연구센터 지원사업’의 지원을 받았다. 나노분야 국제학술지 ‘미국화학회(ACS) 나노’ 4월14일자 온라인판에 발표됐다.
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