초록 ▼

용어보기논문에서 용어와 풀이말을 자동 추출한 결과로, 시범 서비스 중입니다. AI-Helper

반도체 칩의 고집적화에 의해 반도체 칩과 외부의 단자를 연결하는 Interconnection 기술 또한 높은 신뢰성을 갖는 미세구조에 대한 방향으로 연구가 진행되고 있다. 최근 각광받고 있는 Interconnection 기술로는 과거의 솔더볼 범프 구조를 사용한 플립칩 기술의 한계를 극복하기 위해서 개발된 구리기둥범프(Copper ...

반도체 칩의 고집적화에 의해 반도체 칩과 외부의 단자를 연결하는 Interconnection 기술 또한 높은 신뢰성을 갖는 미세구조에 대한 방향으로 연구가 진행되고 있다. 최근 각광받고 있는 Interconnection 기술로는 과거의 솔더볼 범프 구조를 사용한 플립칩 기술의 한계를 극복하기 위해서 개발된 구리기둥범프(Copper pillar bump: CPB) 기술이 있다. 구리기둥 범프 기술의 경우 구리의 높은 전도성과 기계적인 강도로 인해 기존의 솔더볼에 비해 높은 신뢰성을 갖는 미세구조를 제작하는 것이 가능하지만, 구리 자체가 갖고 있는 산화와 같은 문제점을 극복하는 연구가 필요하다. 본 논문에서는 구리기둥 범프의 신뢰성을 향상시키기 위하여 두 가지의 개선된 구조를 제안한다. 먼저 상온의 대기 중에서 산화되는 구리의 특성에 의한 신뢰성 문제를 해결하기 위하여 제안된 Copper Pillar Tin Bump (CPTB) 구조가 있으며, 구리기둥과 솔더 범프와의 계면 면적 증가를 통하여 전류밀도를 낮춤으로서 EM(Electro-migration)효과를 감소시키기 위한 Convex top surface Copper Pillar Bump (CCPB)구조가 있다. 각각의 제안된 구조를 제조공정과 특성 평가 및 시뮬레이션을 통하여 구리기둥 범프의 신뢰성 개선을 확인한다.

Abstract ▼ AI-Helper

Copper Pillar Tin Bump (CPTB) and Contrastive Copper Pillar Bump (CCPB) ware developed for high density chip interconnect technology. When the CPB structure exposed Air environment, it is made a problem of increasing resistance from pressing copper oxidation. It caused grow up the current density in...

Copper Pillar Tin Bump (CPTB) and Contrastive Copper Pillar Bump (CCPB) ware developed for high density chip interconnect technology. When the CPB structure exposed Air environment, it is made a problem of increasing resistance from pressing copper oxidation. It caused grow up the current density in the Bump and affected another characteristics. This is electro-migration phenomenon. This phenomenon has lead to focused highly resistance area or high current density area and it related material strength. Copper Pillar Tin Bumps improve electrical characteristic about prevenient explanation. Solution of oxidation is covered material that doesn`t reaction about oxygen. Another case is changing structure that has same material. This solution is focused area of current path. Larger current path then original structure is reduced current density. So reduced current density give to reduced electro-migration phenomenon. In conclusion, in order to decreasing of electro-migration, we suggested two structures that have covered side wall of tin material and exchanged structure of solder material. And then, proof from experiment, calculation and simulation.

주제어