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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D, v.35D no.8, 1998년, pp.38 - 43
한승엽 (아주대학교 정보전자기술연구소) , 정상구 (아주대학교 전자공학부)
An analytical model for the surface field distribution of the RESURF (reduced surface field)LD(lateral double-diffused) MOS is presented in terms of the doping concentration, the thickness of the n epi layer, the p substrate concentration, and the epi layer length. The reuslts are used to determine ...
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